【简答题】
什么是恒定表面源扩散？其扩散形成的结深主要受哪些因素的影响？其中哪一个影响最主要？为什么？
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第2题
A、在制造硅半导体器体中，常使硼扩散到硅单晶中，若在1600K温度下，保持硼在硅单晶表面的浓度恒定（恒定源半无限扩散），要求距表面10-3cm深度处硼的浓度是表面浓度的一半，问需要多长时间（已知D1600℃＝8×10-12cm2/s；当
时，
）？
第3题
A、A.能在金属表面吸附形成一层吸附膜 B、B.形成的吸附膜能阻碍水和腐蚀介质向金属表面扩散 C、C.形成的吸附膜能阻止二价铁离子向水中扩散 D、D.形成的吸附膜能阻止三价铁离子向水中扩散
