【多选题】
除缺陷的大小和声程外,影响缺陷波高的缺陷自身因素有()
A、缺陷取向
B、缺陷形状
C、缺陷类型
D、缺陷的表面粗糙度
A、缺陷取向
B、缺陷形状
C、缺陷类型
D、缺陷的表面粗糙度
A、缺陷一次回波波高不小于满刻度的50% B、当底波波高未达到满刻度,而缺陷一次回波波高与底波波高之比不小于50% C、当底波波高小于满刻度的50% D、缺陷一次回波波高小于满刻度的50%
A、缺陷离试件表面越近,形成的漏磁通越小 B、在磁化状态、缺陷类型和大小为一定时,其漏磁通密度受缺陷方向影响 C、交流磁化时,近表面缺陷的漏磁通比直流磁化时的漏磁通要小 D、在磁场强度、缺陷类型和大小为一定时,其漏磁通密度受磁化方向影响 E、除A以外都对
A、 在磁化状态、缺陷种类和大小为一定时,缺陷漏磁通密度受缺陷方向影响 B、 交流磁化时,近表面缺陷的漏磁通比直流磁化时要小 C、 当磁化强度、缺陷种类和大小为一定时,缺陷处的漏磁通密度受磁化方向的影响 D、 以上都对