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【单选题】

半导体中的少数载流子产生的原因是（）

A、外电场

B、内电场

C、掺杂

D、热激发

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第1题

[单选题] 本征半导体由于热运动产生载流子使本征半导体中有（）

A、电子载流子 B、空穴载流子 C、电子载流子和空穴载流子

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第2题

[] 在N型杂质半导体中，多数载流子是（），少数载流子是（）。

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第3题

[] 在P型杂质半导体中，多数载流子是（），少数载流子是（）。

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第4题

[判断题] 在N型半导体中，电子是少数载流子，空穴是多数载流子。

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第5题

[填空题] N型半导体中多数载流子是（），少数载流子是（）。

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第6题

[填空题] P型半导体是在锗硅四价元素中渗入三价元素，它的多数载流子是（），少数载流子是（）。

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第7题

[简答题] 在P型半导体中：（　）A.空穴为多数载流子B.自由电子为少数载流子C.主要靠空穴导电D.主要靠自由电子导电E.空穴为少数载流子

A、A.空穴为多数载流子
B.自由电子为少数载流子
C.主要靠空穴导电
D.主要靠自由电子导电
E.空穴为少数载流子

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第8题

[] 本征半导体中，若掺入微量的五价元素，则形成（）型半导体，其多数载流子是电子；若掺入微量的三价元素，则形成P型半导体，其多数载流子是（）。

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第9题

[填空题] N沟道MOSFET的衬底是（）型半导体，源区和漏区是（）型半导体，沟道中的载流子是（）。

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