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【单选题】

（）为了提高反向击穿电压，在PN结之间加入了一层高阻本征层。

A、PIN二极管

B、隧道二极管

C、稳压二极管

D、开关二极管

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更多“（）为了提高反向击穿电压，在PN结之间加入了一层高阻本征层。”相关的问题

第1题

[] 反向偏置pn结，当电压升高到某值时，反向电流急剧增加，这种现象称为pn结击穿，主要的击穿机理有两种：（）击穿和（）击穿。

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第2题

[填空题] PN结具有（）性，即加正向电压时，PN结（），加反向电压时，PN结（）。

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第3题

[填空题] PN结具有（），即加正向电压时，PN结处于（），加反向电压时，PN结处于（）。

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第4题

[判断题] 二极管两端的反向电压一旦超过其最高反向电压，二极管的PN结立即击穿。

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第5题

[判断题] 在PN节之间加反向电压，多数载流子扩散被抑制，反向电流几乎为零，就形成了PN节截止。

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第6题

[单选题] 如工作在截止区时，三极管两个结的偏置是（）

A、发射结加正向电压，集电结加反向电压 B、发射结加反向电压，集电结加正向电压 C、发射结加反向电压，集电结加反向电压

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第7题

[单选题] PN结反向电压的数值增大，但小于击穿电压时，（）。

A、其反向电流增加 B、其正向电流增加 C、其反向电流基本不变 D、其反向电流减小

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第8题

[] EPROM的存储单元是在MOS管中置入（）的方法实现的。写入程序时，在漏极和衬底之间加足够高的反向脉冲电压，可使PN结产生雪崩击穿，产生的高能电子穿透二氧化硅绝缘层进入浮置栅中。当将外部提供的电源去掉后，（）中的电子无放电回路而被保留下来。

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第9题

[单选题] 三极管工作在饱和区时，三极管两个结的偏置是（）

A、发射结加正向电压，集电结也加正向电压 B、发射结加正向电压，集电结加反向电压 C、发射结加反向电压，集电结加反向电压

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