EPROM的存储单元是在MOS管中置入（）的方法实现的。写入程序时，在漏极和衬底之间加足够高的反向脉冲电压，可使PN结产生雪崩击穿，产生的高能电子穿透二氧化硅绝缘层进入浮置栅中。当将外部提供的电源去掉后，（）中的电子无放电回路而被保留下来。