单结晶体管触发电路中，单结晶体管发射极的电容容量变大，控制角（）。

A、变小

B、不变

C、变大

D、其它

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第1题

[判断题] 单结晶体管电路，如发射极电压等于峰点电压UP时，单结晶体管导通，导通后，当发射极电压减小到小于UV时，管子由导通变为截至。（）

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第2题

[] 下面是单结晶体管的特点说法正确的是（）。

A、A.当发射极电压等于峰点电压UP时，单结晶体管导通，导通之后，当发射极电压减小到UEV时，管子由导通变为截止 B、B.单结晶体管的发射极与第一基极的电阻RB1随发射极电流增大而变小，RB2则与发射极电流无关 C、C.不同的单结晶体管有不同的UP和UV D、D.一般单结晶体管的谷点电压在5～10V E、E.单结晶体管体积小重量轻

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第3题

[多选题] 下面是单结晶体管的特点说法正确的是（）

A、当发射极电压等于峰点电压U_P时，单结晶体管导通，导通之后，当发射极电压减小到U_EV时，管子由导通变为截止 B、单结晶体管的发射极与第一基极的电阻R_B1随发射极电流增大而变小，R_B2则与发射极电流无关 C、不同的单结晶体管有不同的U_P和U_V D、一般单结晶体管的谷点电压在5～10V E、单结晶体管体积小重量轻