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【简答题】
简述常压单晶外延和多晶薄膜沉积装置。
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第1题
[单选题]
薄膜
太阳能电池的半导体
薄膜
不能是()。
A、
多晶
体 B、非晶体 C、砷化镓 D、
单晶
体
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第2题
[单选题]
薄膜
太阳能电池的半导体
薄膜
不能是()。
A、
多晶
体 B、非晶体 C、砷化镓 D、
单晶
体
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第3题
[] 试比较
单晶
和
多晶
的电子衍射谱,并说明
多晶
电子衍射谱中环形花样形成的原因。
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第4题
[填空题] 由于()效应及()效应,使
多晶
体的变形抗力比
单晶
体大,其中,()效应是
多晶
体加工硬化更主要的原因。
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第5题
[] 由于()效应及()效应,使
多晶
体的变形抗力比
单晶
体大,其中,()效应是
多晶
体加工硬化更主要的原因。
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第6题
[单选题] 硅系太阳电池主要包括
单晶
硅太阳电池、
多晶
硅太阳电池、非晶硅太阳电池。其中()太阳电池转换效率最高。
A、
多晶
硅 B、
单晶
硅 C、非晶硅 D、以上皆不是
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第7题
[简答题] 试述晶态、非晶态、准晶、
多晶
和
单晶
的特征性质。
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第8题
[简答题]
简述
分子束
外延
制备纳米
薄膜
的特点。
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第9题
[单选题] 一般金属都是(),
多晶
体金属显示各向同性。
A、
多晶
体 B、
单晶
体 C、双晶体 D、混晶体
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