下面关于DRAM存储器描述错误的是()
A、A.DRAM存储器需要对存储内容定时刷新
B、B.DRAM存储器具有单位空间存储容量大的特点
C、C.DRAM存储器属于非易失的存储器
D、D.DRAM存储器主要依靠电容的电荷存储效应记忆信息
A、A.DRAM存储器需要对存储内容定时刷新
B、B.DRAM存储器具有单位空间存储容量大的特点
C、C.DRAM存储器属于非易失的存储器
D、D.DRAM存储器主要依靠电容的电荷存储效应记忆信息
A、RAM分为静态RAM和动态RAM两类 B、SRAM作为高速缓存存储器,既可以在CPU芯片上,也可以在片下 C、DRAM将每个位存储在一个双稳态存储器单元里 D、DRAM需要不断刷新
A、虚拟存储器是提高计算机运算速度的设备 B、虚拟存储器由RAM加上高速缓存组成 C、虚拟存储器的容量等于主存加上Cache的容量 D、虚拟存储器由物理内存和硬盘上的虚拟内存组成
A、虚拟存储器可以解决内存容量不够使用的问题 B、虚拟存储器对多任务处理提供了有力的支持 C、虚拟存储器可以把硬盘当作内存使用,提高硬盘的存取速度 D、虚拟存储器技术的指导思想是"以时间换取空间"
A、A.外存储器中信息CPU不能直接访问,必须读到内存才能使用 B、B.外存储器既是输入设备,又是输出设备 C、C.外存储器中存储的信息和内存一样,在断电后也会丢失 D、D.簇是磁盘访问的最小单位
A、S3C2410的存储器控制组件中包括的存储器控制器提供访问片外存储器芯片所需的控制信号 B、S3C2410的外部存储器地址空间共1GB C、S3C2410的I/O与存储器采用统一编址方式 D、S3C2410的外部存储器地址空间可分成数个BANK,每个BANK均可实现8位、16位和32位总线宽度的访问