A、它形晶结晶温度低 B、自形晶结晶早 C、自形晶结晶温度高 D、半自形晶晚于它形晶结晶
A、采用保温铸型 B、提高浇注温度 C、设置冒口 D、选择结晶温度范围较窄的合金
A、A.采用保温铸型 B、B.提高浇注温度 C、C.设置冒口 D、D.选择结晶温度范围较窄的合金
A、结晶温度范围较小 B、结晶温度范围较大 C、结晶温度较高 D、结晶温度较低
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