由N=D<sup>2</sup>/4λ可知晶片尺寸增加,近场区长度迅速增加,()。
A、 对探伤有利
B、 对探伤不利
C、 半扩散角增大
D、 超声波能量发散
A、 对探伤有利
B、 对探伤不利
C、 半扩散角增大
D、 超声波能量发散
A、≤1.47×10<sup>4sup>N/m<sup>2sup> B、1.47×104~34.3×10<sup>4sup>N/m<sup>2sup> C、≥34.3×10<sup>4sup>N/m<sup>2sup> D、2.47×104~34.3×10<sup>4sup>N/m<sup>2sup>
A、1.2N/mm<sup>2sup> B、2.4N/mm<sup>2sup> C、3.6N/mm<sup>2sup> D、4.8N/mm<sup>2sup>
A、550N/mm<sup>2sup>;4.5% B、540N/mm<sup>2sup>;10% C、550N/mm<sup>2sup>;10% D、500N/mm<sup>2sup>;10%
A、15N/mm<sup>2sup> B、22.5N/mm<sup>2sup> C、21N/mm<sup>2sup> D、30N/mm<sup>2sup>
A、30N/mm<sup>2sup> B、2.5N/mm<sup>2sup> C、21N/mm<sup>2sup> D、15N/mm<sup>2sup>
A、4×10<sup>-4sup>N B、2×10<sup>-4sup>N C、10<sup>-4sup>N D、0.5×10<sup>-4sup>N
A、15N/mm<sup>2sup> B、255N/mm<sup>2sup> C、21N/mm<sup>2sup> D、30N/mm<sup>2sup>
A、4×10<sup>-4sup>N B、2×10<sup>-4sup>N C、10<sup>-4sup>N D、0.5×10<sup>-4sup>N
A、4×10<sup>-4sup>N B、2×10<sup>-4sup>N C、0.25×10<sup>-4sup>N D、0.5×10<sup>-4sup>N
A、(C6H5)-N=N-(C6H5) B、C6H5-N<sup>+sup>HSO4<sup><sup>-sup> C、(CH3)2NH2<sup>+sup>Cl<sup>-sup> D、(CH3)4N<sup>+sup>Cl<sup>-sup>sup>