关于TD-LTE中天线端口说法错误的有()
A、8pathTM3配置下逻辑端口与TM8配置下的逻辑端口数相同
B、8pathTM7配置下逻辑端口为1个
C、8pathTM8配置下逻辑端口为4个
D、天线逻辑端口与物理端口一一对应
A、8pathTM3配置下逻辑端口与TM8配置下的逻辑端口数相同
B、8pathTM7配置下逻辑端口为1个
C、8pathTM8配置下逻辑端口为4个
D、天线逻辑端口与物理端口一一对应
A、A.在TM3模式下,为保证系统性能,应尽可能增大eNB两个发射天线点间距 B、B.在TM3模式下,为保证系统性能,应尽可能减小eNB两个发射天线点间距 C、C.为避免TD-LTE与Wlan相互干扰,建议使用大隔离度合路器通过合路方式布放 D、D.为避免TD-LTE与Wlan相互干扰,建议使用新增天线点位单独布放 E、
A、TD-LTE用户漫游到其他TD-LTE覆盖城市使用通用APN数据业务:MS→拜访地SAE-GW(S-GW→P-GW)→外部数据网 B、TD-LTE用户漫游到国外LTE网络使用数据业务:MS→拜访地S-GW→BG→根P-GW/骨干GGSN→外部数据网 C、LTE用户归属地LTE网内MO:MS→归属地MSCServer(支持SGs接口)→归属省STP→短信中心 D、TD-LTE用户漫游到国外2G/3G网络使用数据业务:MS→拜访地SGSN→BG→根P-GW/GGSN→外部数据网