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【填空题】

CsCl型离子晶体负离子属于简单立方，其配位数为（），所占空隙为立方体，所占空隙分数为（）。

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第1题

[填空题] NaCl型离子晶体负离子属于立方最紧密堆积，其配位数为（），所占空隙为正八面体，所占空隙分数为（）。

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第2题

[] 试就负离子堆积方式与正离子所占间隙的种类与分数比较NaCl型与ZnS型结构之异同，比较CsCl和CaF2型结构之异同。

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第3题

[判断题] 因为负离子一般比较大，负离子的堆积是离子晶体结构的主要框架，正离子被看成是填充在负离子堆积形成的空隙中。

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第4题

[简答题] （1）已知MgO晶体属于立方晶系，Mg2+的离子半径的，O2-离子半径，试推测MgO晶体的结构形式；（2）已知NaCl、CsCl、立方ZnS的马德隆常数分别为1.7476、1.7627、1.6318， He、Ne、Ar的波恩指数分别为5、7、9 ，求晶体的点阵能。

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第5题

[简答题] （1）已知MgO晶体属于立方晶系，Mg2+的离子半径1.40AO2-离子半径0.65A，试推测MgO晶体的结构形式。（2）已知NaCl 、CsCl 、立方ZnS的马德隆常数分别为1.7476、1.7627、1.6318，He、Ne、Ar的波恩指数分别为5、7、9，求晶体的点阵能。

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第6题

[单选题] 在离子晶体中，当正负离子半径比值在0.732～1.0的范围内时，形成（）

A、简单立方配位 B、面心立方配位 C、简单立方或面心立方配位

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第7题

[简答题] 从负离子的立方密堆积出发，（1）正离子填满所有四面体位置；（2）正离子填满一半四面体位置，如T+位置；（3）正离子填满所有的八面体位置；（4）正离子填满八面体位置的交替层。说明四种情况的结构类型。

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第8题

[简答题] 已知MgO晶体属于立方晶系，Mg2+的离子半径1.40A O2-离子半径0.65A，试推测MgO晶体的结构形式。

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第9题

[] 盐桥内所用电解质溶液，必须（）。

A、A.正离子迁移速率远大于负离子迁移速率 B、B.正离子迁移速率远小于负离子迁移速率 C、C.正、负离子迁移速率相近

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