A、可变电阻区
B、饱和区必
C、击穿区
D、以上都不正确
A、耗尽型MOS B、增强型MOS C、结型
A、非饱和区 B、饱和区 C、截止区 D、击穿区
A、A.非饱和区 B、B.饱和区 C、C.截止区 D、D.击穿区
A、A.NPN型管和PNP型管 B、B.增强型场效应管和耗尽型场效应管 C、C.N沟道场效应管和P沟道场效应管 D、D.晶体管和场效应管
A、饱和区 B、线性饱和区 C、放大区 D、线性放大区
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