N沟道MOSFET管的导通条件是（）。

A、A.Uc＞Us，UCs=0.6~0.7V

B、B.Uc＞Us，UCs=0.45—3V

C、C.Uc＜US，UcS=0.6—0.7V

D、D.Uc＜Us，Ucs=0.45—3V

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第1题

[] 硅管的导通压降约为（）V，锗管的导通压降约为（）V。

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第2题

[单选题] 开关电源脉宽调制的原理是指（）；

A、是指在主电路工作周期不变的情况下，通过改变功率管的导通截止时间，既改变脉冲频率，来控制输出电压稳定在预先确定的电压值上。  B、是指在主电路工作周期不变的情况下，通过改变功率管的导通截止时间，既改变脉冲宽度，来控制输出电压稳定在预先确定的电压值上。  C、是指通过改变主电路工作周期，以此来改变功率管的导通截止时间，既改变脉冲宽度，来控制输出电压稳定在预先确定的电压值上。  