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【填空题】

（）综合了MOSFET和GTR的输入阻抗高、工作速度快、通态电压低、阻断电压高、承受电流大的优点。

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第1题

[单选题] IGBT的驱动方法和（）基本相同，故具有高输入阻抗特性。

A、MOSFET B、GTO C、SCR D、GTR

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第2题

[单选题] IGBT是一个复合型的器件，它是（）。

A、GTR驱动的MOSFET B、MOSFET驱动的GTR C、MOSFET驱动的晶闸管 D、MOSFET驱动的GTO

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第3题

[判断题] MOSFET具有输入阻抗非常高、噪声低、热稳定性好等优点。

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第4题

[单选题] （）是电流控制型电力电子器件。

A、GTR、SITH B、TRIAC、GTR C、P-MOSFET、IGBT D、GTO、MCT

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第5题

[填空题] 在GTR、GTO、IGBT与MOSFET中，开关速度最快的是（），单管输出功率最大的是（），应用最为广泛的是（）。

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第6题

[多选题] IGBT是（）和（）的复合管。

A、GTO B、GTR C、P－MOSFET D、PD

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第7题

[] （）是电流控制型电力电子器件。

A、A.GTR、SITH B、B.TRIAC、GTR C、C.P-MOSFET、IGBT D、D.GTO、MCT

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第8题

[单选题] 比较而言，下列半导体器件中性能最好的是（）。

A、GTR B、MOSFET C、IGBT

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第9题

[单选题] 下列半导体器件中属于电流型控制器件的是（）。

A、GTR B、MOSFET C、IGBT

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