【多选题】
闪速存储器有三个主要的基本操作，它们是编程操作和（）。
A、读取操作
B、改写操作
C、连接操作
D、擦除操作
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第3题
A、Flash存储器属于非易失的存储器 B、Flash存储器的读操作与SRAM存储器的读操作基本相同 C、Flash存储器的写操作与SDRAM存储器的写操作基本相同 D、Flash存储器在写入信息前必须首先擦除原有信息
第8题
A、微程序控制方式和硬布线控制方式相比较，前者可以使指令的执行速度更快 B、若采用微程序控制方式，则可用UPC取代PC C、控制存储器可以用掩模ROM、EPROM或闪速存储器实现 D、指令周期也称为CPU周期
