当你正为一表面偏置操作加入一偏置距离时，什么将决定偏置的正方向（）

A、矢量构造器

B、正的绝对坐标系轴之一

C、表面法向，指离实体

D、选择两个矢量箭头之一定义正方向

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第1题

[简答题] 图所示为一偏置曲柄滑块机构，试求构件1能整周转动的条件。

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第2题

[简答题] 作图题：如图所示为一偏置曲柄滑块机构，用作图法画出： 1）滑块的行程H 2）曲柄为原动件时的最大压力角αmax。

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第3题

[单选题] 下列关于“偏置曲面”的说法，哪个是正确的（）。

A、偏置值只能为正 B、方向可以取反向 C、偏置对象只能是实体表面 D、偏置对象只能是片体

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第4题

[单选题] 体三极管用来放大时，应使（）

A、发射结处于反向偏置，集电结处于正向偏置。 B、发射结处于正向偏置，集电结处于反向偏置。 C、发射结处于正向偏置，集电结处于正向偏置。 D、发射结处于反向偏置，集电结处于反向偏置。

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第5题

[多选题] 对PILOT_INC设置说明正确的是（）。

A、如果设置过高，则可用的PN偏置将减少，PN偏置的重用距离将减小，从而可能引起同PN干扰 B、如果设置太小（设置为1，总共有512个可用PN偏置），则容易发生邻PN干扰 C、如果设置过高，则可用的PN偏置将减少，PN偏置的重用距离将减小，从而可能引起邻PN干扰 D、如果设置太小（设置为1，总共有512个可用PN偏置），则容易发生同PN干扰

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第6题

[单选题] 某个面上有一条样条线，现需要将该样条线在面轮廓内按距离偏置，应该使用如下哪个命令（）

A、面内偏置 B、面偏置 C、偏置->曲线沿面 D、编辑->变形->面样条线

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第7题

[单选题] 晶体三极管工作在饱和状态时的特点是（）。

A、发射结反向偏置，集电结正向偏置 B、发射结正向偏置，集电结反向偏置 C、发射结和集电结都处于正向偏置 D、发射结和集电结都处于反向偏置

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第8题

[单选题] 晶体管工作在饱和区的条件是（）。

A、发射结正向偏置，集电结反向偏置 B、发射结反向偏置，集电结正向偏置 C、发射结正向偏置，集电结正向偏置 D、发射结反向偏置，集电结反向偏置