A、大为提高其沿面闪络电压 B、大为降低其沿面闪络电压 C、大为提高吸附能力 D、大为提高绝缘电阻
A、增大沿面距离 B、采用半导体釉和硅橡胶绝缘子防污闪 C、改进电极形状 D、削弱或抑制游离过程
A、升高 B、降低 C、不变
A、沿面放电 B、闪络 C、电晕 D、击穿
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