A、绝缘体
B、半导体
C、绝缘值
D、零
A、相间绝缘 B、对地绝缘 C、对地及相间绝缘 D、对设备外壳绝缘
A、19℃ B、21℃ C、22℃ D、20℃
A、测量每一绕组对地及其余绕组间15s、60s及10min的绝缘电阻值,并记录测量温度 B、测量每一绕组对地及其余绕组间15s、60s及20min的绝缘电阻值,并记录测量温度 C、计算标准温度下的1min绝缘电阻值不应小于5000MΩ,吸收比(R60/R15)不应小于1.3或极化指数(R600/R60)不应小于1.5(10℃~40℃时) D、R60大于10000MΩ时,极化指数可不做考核要求
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