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【多选题】

晶体管的参数是（）的依据。

A、试验

B、设计电路

C、选用晶体管

D、监测晶体管

E、判断反馈类型

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更多“晶体管的参数是（）的依据。”相关的问题

第1题

[多选题] 直接耦合放大电路存在零点漂移的原因是（）。

A、电阻阻值有误差 B、晶体管参数的分散性 C、晶体管参数受温度影响 D、电源电压不稳定

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第2题

[单选题] 晶体管参数fm是指（）。

A、晶体管具有功率放大能力的最高极限频率 B、晶体管失去功率放大能力的最高极限频率 C、放大器最大功率增益下降到1时，对应的频率

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第3题

[单选题] 直接耦合放大电路存在零点漂移的原因主要是（）。

A、电阻阻值有误差 B、晶体管参数的分散性 C、晶体管参数受温度影响 D、受输入信号变化的影响

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第4题

[填空题] 在放大电路中，由于晶体管的内部反馈，可能产生自激，防止的办法除正确选择晶体管的参数及控制各级放大倍数外，常采用（）电路。

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第5题

[填空题] 通过在晶体管的输出端与输入端之间引入一个附加的外部反馈电路以抵消晶体管内部参数Yfe的反馈作用来提高放大器的稳定性的方法称为（）。

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第6题

[] 晶体管V1的=50，晶体管V2的=30，若两管组成复合晶体管，则该复合晶体管的p约为（）。

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第7题

[多选题] 直接耦合放大电路静态工作点，发生变化的原因是（）。

A、晶体管放大倍数低 B、电阻器阻值变化 C、晶体管参数受温度影响 D、电源电压不稳定

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第8题

[判断题] 带阻晶体管是带有1个或两个电阻，并和晶体管芯做在一起，同封在一个外壳内的新型晶体管。

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第9题

[单选题] 双极型晶体管和场效应晶体管的驱动信号（）。

A、均为电压控制 B、均为电流控制 C、双极型晶体管为电压控制，场效应晶体管为电流控制 D、双极型晶体管为电流控制，场效应晶体管为电压控制

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