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【单选题】

硅管的死区电压为0.5V，锗管的死区电压为（）

A、0.5V

B、0.7V

C、0.4V

D、0.2V

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第1题

[单选题] 硅管的死区电压为0.5V，锗管的死区电压为（）。

A、0.5V B、0.7V C、0.4V D、0.2V

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第2题

[] 硅管的死区电压为0.5V，锗管的死区电压为（）。

A、A.0.5V B、B.0.7V C、C.0.4V D、D.0.2V

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第3题

[填空题] 硅管的死区电压约为（）V，锗管的死区电压约为（）V。

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第4题

[判断题] 锗管比硅管的接触电位差大，因此锗管比硅管的死区电压大。

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第5题

[填空题] 三极管加正向偏置时存在一个死区电压，锗管死区电压为（）V，硅管为（）V。

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第6题

[] 晶体二极管具有正向特性，硅管的死区电压为（）。

A、A.0—0.2V B、B.0—0.5V C、C.0—0.4V D、D.0—0.3V

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第7题

[单选题] 硅管与锗管的死区电压分别为（）。

A、0.7，0.3 B、0.3，0.7 C、0.5，0.2 D、0.2，0.5

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第8题

[单选题] 硅管与锗管的死区电压分别为（）。

A、0.7、0.3 B、0.3、0.7 C、0.5、0.2 D、0.2、0.5

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第9题

[] 硅管的导通压降约为（）V，锗管的导通压降约为（）V。

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