A、微分电路
B、积分电路
C、单稳电路
D、零指示器
A、提高晶体管的饱和深度或采用正反馈 B、采用正反馈和负反馈 C、提高晶体管的饱和深度和放大系数 D、提高晶体管的放大倍数或采用负反馈
A、限制集电极功耗 B、保护晶体管 C、把集电极电压变化转换为电流变化 D、限制集电极功耗，保护被测晶体管
A、加快功率晶体管的开通 B、延缓功率晶体管的关断 C、加深功率晶体管的饱和深度 D、保护器件
A、因为振荡回路中接入一个小电容，从而能减少晶体管输入、输出电容对振荡回路的影响 B、电路晶体管与回路处于松耦合 C、A和B
A、高频晶体管 B、低频晶体管 C、中频晶体管 D、大功率晶体管
A、A.加快功率晶体管开通 B、B.延缓功率晶体管关断 C、C.加深功率晶体管的饱和深度 D、D.保护器件
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