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【填空题】

P-MOSFET是多数载流子工作的器件，其元件的通态电阻具有正的（），有较宽的安全工作区。

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第1题

[] 在P型杂质半导体中，多数载流子是（），少数载流子是（）。

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第2题

[填空题] P型半导体是在锗硅四价元素中渗入三价元素，它的多数载流子是（），少数载流子是（）。

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第3题

[简答题] 在P型半导体中：（　）A.空穴为多数载流子B.自由电子为少数载流子C.主要靠空穴导电D.主要靠自由电子导电E.空穴为少数载流子

A、A.空穴为多数载流子
B.自由电子为少数载流子
C.主要靠空穴导电
D.主要靠自由电子导电
E.空穴为少数载流子
  

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第4题

[] 本征半导体中，若掺入微量的五价元素，则形成（）型半导体，其多数载流子是电子；若掺入微量的三价元素，则形成P型半导体，其多数载流子是（）。

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第5题

[单选题] 对PN结施加反向电压时，参与导电的是（）

A、多数载流子  B、少数载流子  C、既有多数载流子又有少数载流子  

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第6题

[判断题] 单极型器件是仅依靠单一的多数载流子导电的半导体器件。

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第7题

[填空题] P沟道MOSFET的衬底是（）型半导体，源区和漏区是（）型半导体，沟道中的载流子是（）。

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第8题

[单选题] 当环境温度升高时，二极管的反向饱和电流Is将增大，是因为此时PN结内部的（）。

A、多数载流子浓度增大  B、少数载流子浓度增大  C、多数载流子浓度减小  D、少数载流子浓度减小  

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第9题

[判断题] 晶体管多数载流子和少数载流子都参与导电，而场效应管只有个别载流子导电。

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