A、反向击穿区 B、正向导通区 C、放大区 D、截止区
A、死区 B、导通区 C、反向击穿区
A、A.死区 B、B.正向导通区 C、C.反向截止区 D、D.反向击穿区
A、正向导通区 B、截止区 C、反向击穿区 D、死区
A、截止时 B、导通时 C、由截止转导通时 D、由导通转截止时
A、锗二极管的导通电压为0.3V左右 B、硅二极管的导通电压为0.6V左右 C、二极管导通后,其导通电流不变 D、二极管导通后,其导通电压不变
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