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提问人:网友 发布时间:
【多选题】

电容量和介质损耗因数试验中现场测量存在()干扰影响时,应采取相应措施进行消除。

A、电场

B、磁场

C、机械波

D、引力波

更多“电容量和介质损耗因数试验中现场测量存在()干扰影响时,应采取相应措施进行消除。”相关的问题
第1题

A、A.有绕组的被试品进行容量介质损耗因数试验时,与被试部位相连的所有绕组端子连在一起加压,其余绕组端子均接地  B、B.电磁式电压互感器应采用末端屏蔽法  C、C.容量介质损耗因数试验,断路器断口间并联电容器在分闸状态下测量,对于瓷柱式断路器,与断口一起测量  D、D.对于罐式断路器(包括GIS的断路器),按设备技术文件规定进行,测试结果不符合要求时,可对电容器独立进行测量  

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第3题

A、标称容量Cb绝缘电阻  B、介质损耗因数tgδ额定电压  C、标称容量Cb介质损耗因数tgδ  D、标称容量Cb高频等效电阻r  

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第6题

A、A.容量初值差不超过±5%(警示值)  B、B.介质损耗因数油浸纸≤0.006  C、C.介质损耗因数膜纸复合≤0.0025  D、D.对于瓷柱式断路器,与断口一起测量  

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第8题

A、容量初值差不超过±5%  B、属于停电试验  C、对于瓷柱式断路器,与断口一起测量  D、解体检修后进行检测  

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第9题

A、对于油浸式电流互感器,参照GB20840.2-2014表209的要求,分电容电容型进行考核  B、对于35kV以上电压等级的合成薄膜式的电流互感器,10kV~Um√3电压下介质损耗因数tanδ小于等于0.25%  C、对于Um≥252kV的油浸式电流互感器,在0.5Um/√3~Um/√3的测量电压下,介质损耗因数(tanδ)测量值的增值不应大于0.001  D、对于正立式电容型绝缘结构油浸式电流互感器的地屏(末屏),在测量电压为3kV下的介质损耗因数(tanδ)允许值不应大于0.02  

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