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【判断题】

霍尔电压UH与控制电流I及磁感应强度B成反比。

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第1题

[单选题] 当通过的电流为一定值时，霍尔电压与（）。

A、磁感应强度成反比  B、磁感应强度成正比  C、与磁通成正比  D、与磁通成反比  

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第2题

[判断题] 霍尔电压与通过霍尔元件的电流和磁感应强度成反比。

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第3题

[判断题] 霍尔电压与产生此电压的电流和磁感应强度成反比。

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第4题

[单选题] 霍尔效应的原理是：当电流I通过在磁场中的半导体基片（即霍尔元件），且电流方向与磁场方向垂直时，在垂直于电流与磁通的半导体基片的横向侧面，即产生下一个与电流和磁感应强度成正比的（）。

A、电流  B、电压  C、电感  D、电场  

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第5题

[多选题] 霍尔片式压力传感器产生的霍尔电势E，其大小与（）所通过的控制电路I和磁感应强度B成正比。

A、半导体材料  B、霍尔片的几何尺寸  C、所加电压的频率  D、磁场方向  

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第6题

[判断题] 霍尔灵敏度表示一个霍尔元件在单位控制电流和单位磁感应强度时产生的霍尔电压的大小。

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第7题

[多选题] 霍尔元件所产生的霍尔电势EW取决于（）.

A、霍尔元件的材质  B、元件的尺寸  C、控制电流i  D、元件所在磁场的磁感应强度  E、电流i与磁场方向的夹角  

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第8题

[填空题] 霍尔电压的大小与电流和磁感应的乘积成正比，与（）成反比。

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第9题

[单选题] 下列因素中哪个不能影响霍尔式传感器信号电压的大小？（）

A、磁感应强度  B、电阻阻值  C、霍尔系数  D、控制电流  

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