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【多选题】

ZnO压敏电阻的离子迁移说劣化机理模与实验结果更相符，基本认为：（）。

A、劣化是一种晶界现象

B、劣化是耗尽层中离子迁移的结果

C、劣化是稳定层中离子迁移的结果

D、迁移离子主要是氧和填隙Zn

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更多“ZnO压敏电阻的离子迁移说劣化机理模与实验结果更相符，基本认为：（）。”相关的问题

第1题

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A、机械保护 B、热学处理 C、化学处理 D、合理设计

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第2题

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A、电气击穿 B、过期老化 C、机械破坏 D、热破坏

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第3题

[单选题] 下列对压敏电阻的描述不正确的是（）。

A、压敏电阻自身寄生电容较小 B、压敏电阻动作响应速度快 C、压敏电阻通流容易比较大 D、压敏电阻特性非线性程度高

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第4题

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A、小于压敏电压 B、大于压敏电压 C、等于压敏电压 D、压敏电压

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第5题

[多选题] ZnO压敏电阻片的全电压—电流特性曲线可划分为哪几个区段：（）。

A、小电流区 B、中电流区 C、截止区 D、大电流区

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第6题

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第7题

[填空题] 压敏电阻两端加以规定的直流电压时，流过压敏电阻的电流值称为（）。

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第8题

[单选题] C级防雷系统配置时，以下方式错误的是（）

A、防雷开关串联在防雷片前级 B、压敏电阻与气体放电管配合使用 C、零线接在压敏电阻与气体放电管公共端 D、地线从压敏电阻一端引出

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第9题

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