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【单选题】

电子束百分深度剂量曲线的高剂量“坪区”的形成原因是（）

A、电子束无明显建成效应

B、电子束的皮肤剂量较高

C、电子束的照射范围平坦

D、电子束射程较短

E、电子束容易被散射

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第1题

[] 关于高能电子束百分深度剂量曲线特点的正确描述是（）。

A、A.大致分4部分：剂量建成区，高剂量坪区，剂量跌落区，X射线污染区 B、B.大致分2部分：剂量建成区，剂量指数形式衰减区 C、C.大致分3部分：高剂量坪区，剂量指数形式衰减区，X线污染区 D、D.剂量由表面开始逐渐增加，达到峰值后，剂量随深度增加而成指数形式衰减 E、E.和低能X线的百分深度剂量曲线形式一样

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第2题

[单选题] 高能电子束的深度剂量曲线分为剂量建成区、高剂量坪区、剂量跌落区和X射线污染区，治疗肿瘤时应使靶区位于（）

A、剂量建成区 B、高剂量坪区 C、剂量建成区和高剂量坪区 D、高剂量坪区和剂量跌落区 E、剂量跌落区和X射线污染区

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第3题

[单选题] 不属于高能电子束百分深度剂量曲线组成部分的是（）

A、剂量建成区 B、高剂量坪区 C、X射线污染区 D、剂量跌落区 E、指数衰减区

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第4题

[] 不属于高能电子束百分深度剂量的是（）

A、A.剂量建成区 B、B.低剂量坪区 C、C.高剂量坪区 D、D.X射线污染区 E、E.剂量跌落区

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第5题

[] 关于高能电子束的百分深度剂量，描述错误的是（）

A、A.剂量建成区 B、B.低剂量坪区 C、C.高剂量坪区 D、D.剂量跌落区 E、E.X射线污染区

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第6题

[单选题] 描述照射对电子束百分深度剂量的影响，正确的是（）

A、较高能量的电子束，照射野对百分深度剂量无影响 B、较低能量的电子束，照射野对百分深度剂量无影响 C、较低能量的电子束，较大照射野对百分深度剂量影响较大 D、较高能量的电子束，较大照射野对百分深度剂量影响较大 E、较高能量的电子束，较小照射野对百分深度剂量影响较大

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第7题

[单选题] 关于能量对电子束百分深度剂量的影响，哪项描述正确（）？

A、随射线能量增加，表面剂量减少 B、随射线能量减小，X射线污染减少 C、随射线能量增加，高剂量坪区变宽 D、随射线能量减小，剂量梯度增大

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第8题

[单选题] 电子束百分深度剂量随源皮距增加而变化的特点，哪项错误（）

A、表面剂量增加 B、最大剂量深度变深 C、X射线污染增加 D、剂量梯度变陡 E、高能电子束较低能电子束变化显著

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第9题

[] 高能电子束百分深度剂量分布曲线后部有一长长的”拖尾”，其形成原因是（）

A、A.随深度增加，等剂量线向外侧扩张 B、B.电子束入射距离较远 C、C.电子束入射能量较高 D、D.电子束中包含一定数量的X射线 E、E.电子束在其运动径迹上不易被散射

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