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【单选题】

绕组tgδ与原始值比较（）可能是缺陷的反映，同一变压器各绕组tgδ应基本一致。

A、变大

B、变大或变小都

C、变小

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更多“绕组tgδ与原始值比较（）可能是缺陷的反映，同一变压器各绕组tgδ应基本一致。”相关的问题

第1题

[] 测量一台110kV电力变压器，高压绕组对中+低压绕组及地介损损tgδ，当tgδ不合格时，一般表明其高压套管tgδ不合格。

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第2题

[填空题] 66kV变压器被测绕组的tgδ值换算至20°时，不应大于（）。

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第3题

[单选题] 某高压电气设备测量的介质损耗因数tgδ结果如下：有缺陷部分C1=250PF，tgδ1=5%；良好部分C2=10000PF，tgδ2=0.4%。两部分并联后，整体的tgδ与（）接近。

A、4% B、2% C、0.5% D、0.25%

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第4题

[判断题] 在现场采用介损仪测量设备的介损tgδ时，若存在电场干扰，则在任意测试电源极性的情况下，所测得tgδ值一定比真实的tgδ增大。

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第5题

[判断题] 当绝缘受潮、老化时，有功电流IR将增大，tgδ也增大。通过测量tgδ很灵敏地反映出绝缘的集中缺陷。

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第6题

[判断题] 绝缘良好的tgδ不随电压的升高而明显增加。若绝缘内部有缺陷，则其tgδ将随电压的升高而明显增加。

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第7题

[判断题] 用末端屏屏蔽法测量串级式电压互感器的tgδ的具体方法是：高压绕组A端加压，X端和底座接地；二次测量绕组和辅助绕组头尾均短接后与电桥Cx引线相连线；电桥按正接线方式工作。

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第8题

[填空题] 测量变压器绕组绝缘的tgδ时，非被试绕组应（）。

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第9题

[单选题] 采用末端屏蔽法测量串级式电压互感器的介损tgδ时，其值主要反映（）

A、全部绕组的绝缘状态 B、1/2绕组的绝缘状态 C、1/4绕组绝缘状态 D、只反映下部铁芯绕组绝缘状态，即110V级1/2绕组、220kV级1/4绕组的绝缘状态

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