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【单选题】

抑制性突触后电位表现为( )。

A、“全或无”式

B、电位的正向幅度随刺激强度增大而增大

C、类似于负后电位

D、突触后膜电位较静息时更负

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第2题

A、引起突触前膜部分的预先去极化  B、引起突触前膜动作电位幅度减小  C、引起突触前膜释放递质减少  D、引起突触膜产生EPSP(兴奋性突触电位)幅度减小  E、引起突触膜产生IPSP(制性突触电位)幅度增大  

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第4题

A、工作电位  B、诱发电位  C、兴奋性突触电位  D、制性突触电位  E、突触电位同步总和  

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第5题

A、可分回返性抑制和传人侧支性抑制两种  B、是由突触前末梢释放制性递质引起的  C、突触膜产生IPSP  D、突触膜产生EPSP  E、一个兴奋性神经元不能直接引起突触神经元抑制  

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第6题

A、A.突触电位去极化  B、B.递质使膜对某些离子通透性改变的结果  C、C.都可向远端不衰减传导  D、D.都与膜对钠离子通透性降低有关  E、  

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第8题

A、脊髓神经元细胞静息状态时膜内外没有离子进出  B、甘氨酸以胞吐的方式经突触前膜释放到突触间隙  C、甘氨酸与突触膜上受体结合引起膜外电位由正变负  D、某种毒素可阻止神经末梢释放甘氨酸,从而引起肌肉痉挛  

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第9题

A、侧抑制  B、交互抑制  C、前馈抑制  D、突触抑制  E、突触抑制  

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