【单选题】
抑制性突触后电位表现为( )。
A、“全或无”式
B、电位的正向幅度随刺激强度增大而增大
C、类似于负后电位
D、突触后膜电位较静息时更负
A、“全或无”式
B、电位的正向幅度随刺激强度增大而增大
C、类似于负后电位
D、突触后膜电位较静息时更负
A、引起突触前膜部分的预先去极化 B、引起突触前膜动作电位幅度减小 C、引起突触前膜释放递质减少 D、引起突触后膜产生EPSP(兴奋性突触后电位)幅度减小 E、引起突触后膜产生IPSP(抑制性突触后电位)幅度增大
A、可分为回返性抑制和传人侧支性抑制两种 B、是由突触前末梢释放抑制性递质引起的 C、突触后膜产生IPSP D、突触后膜产生EPSP E、一个兴奋性神经元不能直接引起突触后神经元抑制
A、脊髓神经元细胞静息状态时膜内外没有离子进出 B、甘氨酸以胞吐的方式经突触前膜释放到突触间隙 C、甘氨酸与突触后膜上受体结合后引起膜外电位由正变负 D、某种毒素可阻止神经末梢释放甘氨酸,从而引起肌肉痉挛