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【单选题】

场效应管的漏极电流是受以下哪种参数控制的。（）

A、栅极电流

B、栅源电压

C、漏源电压

D、栅漏电压

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第1题

[判断题] 场效应管的低频跨导是描述栅极电压对漏极电流控制作用的重要参数，其值愈大，场效应管的控制能力愈强。

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第2题

[单选题] 在绝缘栅型场效应管中，漏极电流是受栅压控制的，它是利用（）

A、体内场效应而工作的 B、表面场效应而工作的 C、载流子导电而工作的

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第3题

[单选题] 某场效应管的漏极特性曲线如图所示，则该场效应管为（）。

A、P沟道耗尽型MOS管 B、N沟道增强型MOS管 C、P沟道增强型MOS管 D、N沟道耗尽型MOS管

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第4题

[单选题] 场效应管的工作原理是利用栅极电压对（）电流的控制作用来作为放大器件。

A、原极； B、漏极； C、栅极；

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第5题

[单选题] 描述场效应晶体管的输入特性的主要参数是（）。

A、漏极电流，压漏－源电压，以栅极电压为参变量 B、漏极电流，栅极电压，以漏－源电压为参变量 C、基极电压，集电极电流，以集电极电压为参变量 D、漏极电流，栅极电流，以漏－源电压为参变量

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第6题

[单选题] 已知某场效应管的漏极特性曲线如图所示，则在UDS=10V，UGS=0V处的跨导gm约为（）。

A、1mA/V B、0.5mA/V C、-1mA/V D、-0.5mA/V

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第7题

[判断题] 在选取DDZ-Ⅱ型温度变送器调制管用场效应管V1时，应选用栅漏极间分布电容小的管，以免微分作用使后面的交流放大器不能正常地工作。另外、场效应管的栅极控制电压的幅值也不允许太大。

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第8题

[判断题] 功率场效应管漏极伏安特性可分为放大区、饱和区和击穿区

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第9题

[] 半导体三极管与场效应管的一重要区别是：三极管为（）控制元件，场效应管为（）控制元件。

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