A、与缺陷的深宽比有关
B、内部缺陷所产生的漏磁场随缺陷埋藏深度的增加而加大
C、漏磁场随着工件内磁感应强度的增加而减小
D、缺陷平行于磁场方向时漏磁场最小
E、A和D是对的
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A、内部缺陷处的漏磁场比同样大小的表面缺陷漏磁场大 B、缺陷的漏磁场通常与试件上的磁场强度成反比 C、表面缺陷的漏磁场，随离开表面的距离增大而急剧下降 D、有缺陷的试件，才会产生漏磁场
A、内部缺陷处的漏磁通比同样大小的表面缺陷漏磁通大 B、缺陷的漏磁通通常与试件上的磁场强度成反比 C、表面缺陷的漏磁通密度，随离开表面的距离增大而急剧下降 D、用有限线圈磁化长的工件，不需要进行分段磁化
A、电流通过长圆柱导体形成的磁场是以导体为轴线的同心圆 B、电流通过线圈产生的磁场大小，各个位置是相同的 C、通电导体内的磁场与距导体中心的距离成反比 D、磁场只存在于电流流过的导体内部 E、A和C是对的
A、缺陷离试件表面越近，形成的漏磁通越小 B、在磁化状态、缺陷类型和大小为一定时，其漏磁通密度受缺陷方向影响 C、交流磁化时，近表面缺陷的漏磁通比直流磁化时的漏磁通要小 D、在磁场强度、缺陷类型和大小为一定时，其漏磁通密度受磁化方向影响 E、除A以外都对
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