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【判断题】

电力场效应管MOSFET是理想的电压控制器件。

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第1题

[单选题] 电力场效应管MOSFET是理想的（）控制器件。

A、电压 B、电流 C、电阻 D、功率

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第2题

[单选题] 电力场效应管MOSFET是理想的（）控制器件。

A、电压 B、电流 C、电阻 D、功率

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第3题

[单选题] 电力场效应管是理想的（）控制型器件。

A、电压 B、电流 C、电阻 D、功率

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第4题

[] 电力场效应管MOSFET在使用时要防止静电击穿。

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第5题

[判断题] 场效应管的低频跨导是描述栅极电压对漏极电流控制作用的重要参数，其值愈大，场效应管的控制能力愈强。

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第6题

[单选题] 电力场效应管MOSFET适于在（）条件下工作。

A、直流 B、低频 C、中频 D、高频

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第7题

[单选题] 电力场效应管指的是（）。

A、MOSFET B、GTO C、IGBT D、GTR

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第8题

[单选题] 电力场效应管MOSFET适于在（）条件下工作。

A、直流 B、低频 C、中频 D、高频

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第9题

[单选题] 电力场效应管MOSFET（）现象。

A、有二次击穿 B、无二次击穿 C、防止二次击穿 D、无静电击穿

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