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【判断题】

单结晶体管的放大倍数与管子内部的结构有关。

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第1题

A、A.当发射极电压等于峰点电压UP时,晶体导通,导通之后,当发射极电压减小到UEV时,子由导通变为截止  B、B.晶体发射极第一基极电阻RB1随发射极电流增大而变小,RB2则发射极电流无关  C、C.不同晶体有不同UP和UV  D、D.一般晶体谷点电压在5~10V  E、E.晶体体积小重量轻  

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第2题

A、当发射极电压等于峰点电压UP时,晶体导通,导通之后,当发射极电压减小到UEV时,子由导通变为截止  B、晶体发射极第一基极电阻RB1随发射极电流增大而变小,RB2发射极电流无关  C、不同晶体有不同UP和UV  D、一般晶体谷点电压在5~10V  E、晶体体积小重量轻  

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第3题

A、A、0.1~0.3  B、B、0.3~0.9  C、C、0.9~1.2  D、D、1.2~1.6  

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第7题

A、饱和区  B、截止区  C、负阻区  D、触发区  

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第8题

A、晶体特性  B、电源电压高低  C、电容放电时间常数  D、电容充电时间常数  

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