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【判断题】

当tgδ随温度增加明显增大或试验电压从10kV升到Um/√3，tgδ增量超过±0.3%时，不应继续运行。

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第1题

[判断题] 绝缘良好的tgδ不随电压的升高而明显增加。若绝缘内部有缺陷，则其tgδ将随电压的升高而明显增加。

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第2题

[判断题] 在绝缘预防性试验中，tgδ是基本测试项目，当绝缘受潮或劣化时，tgδ急剧上升。绝缘内部是否普遍局部放电，也可以通过测介损与电压的关系曲线加以判断。

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第3题

[判断题] 当绝缘受潮、老化时，有功电流IR将增大，tgδ也增大。通过测量tgδ很灵敏地反映出绝缘的集中缺陷。

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第4题

[单选题] 一般情况下，tgδ随温度变化的增加而（）

A、升高 B、不变 C、降低

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第5题

[单选题] 用倒相法消除外电场对tgδ测量的干扰，需要先在试验电源正、反相两种极性下，测量两组数据：C1tgδ1、C2tgδ2，然后按公式（）计算出试品的实际的tgδ值。

A、tgδ=（tgδ1+tgδ2）/2 B、tgδ=（C1tgδ1+C2tgδ2）/（C1-C2） C、tgδ=（C1tgδ1+C2tgδ2）/（C1+C2） D、tgδ=（C2tgδ1+C1tgδ2）/（C1+C2）

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第6题

[单选题] 若设备组件之一的绝缘试验值为tgδ1＝5%，C1＝250pF；而设备其余部分绝缘试验值为tgδ2＝0.4%，C2＝10000pF，则设备整体绝缘试验时，其总的tgδ值与（）接近

A、0.003 B、0.005 C、0.045 D、0.027

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第7题

[判断题] 浮充电流与浮充电压及温度之间的特性关系：浮充电流随浮充电压的增大而增加，随温度的升高而增少。

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第8题

[判断题] 在现场采用介损仪测量设备的介损tgδ时，若存在电场干扰，则在任意测试电源极性的情况下，所测得tgδ值一定比真实的tgδ增大。

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第9题

[填空题] 绝缘良好的电气设备，其tgδ值随电压的升高而（）。

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