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【简答题】

设晶格常数为a，求立方晶系密勒指数为（hkl）的晶面族的面间距。

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第1题

[简答题] 晶格常数为a, 求立方晶系密勒指数为(hkl)的晶面族的面间距。

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第2题

[简答题] 已知晶格常数为a的简单立方晶系，s态电子构成的能带为，测得带顶的有效质量为，求：（1）参数B，（2）求能带宽度，（3）布里渊区中心附近电子的态密度。

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第3题

[单选题] 晶面间距公式d=a/[（h2+k2+l2）]1/2适用于（）的一切晶面（h，k，l为密勒指数）。

A、立方晶系所包含的三种点阵 B、立方和四方所包含的各种点阵 C、简单立方点阵

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第4题

[填空题] 晶格常数为a的立方晶系(hkl)晶面族的晶面间距为（）。

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第5题

[简答题] 金属Na在273K因马氏体相变从体心立方转变为六角密堆积结构。设相变时金属的密度维持不变，设立方相的晶格常数a0=0.423nm，设六角密堆积结构相的，求其晶格常数。

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第6题

[填空题] 对晶格常数为a的简单立方晶体,与正格矢正交的倒格子晶面族的面指数为（），其面间距为（）。

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第7题

[简答题] 在立方晶系的晶胞内画出具有下列密勒指数的晶面和晶向：（001）与[210]，（111）与[112]，（110）与[111]，（132）与[123]，（322）与[236]

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第8题

[填空题] 对晶格常数为a的简单立方晶体，与正格矢R=ai+2aj+2ak正交的倒格子晶面族的面指数为（），其面间距为（）。

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第9题

[简答题] 已知半导体InP具有闪锌矿结构,In,P两原子的距离为d=2Å,试求：（1）晶格常数；(2)原胞基矢及倒格子基矢；（3）密勒指数为（1，1，0）晶面的面间距，以及In(1,1,0)晶面与P（1，1，1）晶面的距离。

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