【多选题】
IGBT的基本结构是由“双极型三极管BJT”和“MOS绝缘栅型场效应管”组成的（）电力电子器件。
A、结构复杂
B、复合
C、全控型
D、电压驱动式
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第6题
A、场管比IGBT频率高 B、IGBT比场管导通压降低 C、单支IGBT的 功率容量比场管容量大 D、IGBT的开关损耗比场管大 E、IGBT 适合低于20KHZ的逆变电路，场管适合200KHZ以下的逆变电路
第9题
A、场管比IGBT频率高 B、IGBT比场管导通压降低 C、单支IGBT的 功率容量比场管容量大 D、IGBT的开关损耗比场管大 E、IGBT 适合低于20KHZ的逆变电路，场管适合200KHZ以下的逆变电路
